полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении тока участка отрицательной дифференциальной проводимости.
Позже, в контексте полупроводниковых приборов, было высказано предположение о том, что подобный барьер...
проверено, установлено, что барьеры могут действовать (асимметрично) как особая форма электронного диода...
, теперь это называется «диодом Шоттки»....
Несмотря на ошибочные предложения Шоттки, барьер стал стандартом, используемым для туннельного барьера
Дано понятие о туннельном эффекте и рассмотрена проводимость туннельного полупроводникового диода. Описаны учебные эксперименты по исследованию вольтамперной характеристики туннельного диода и использованию его для генерации электрических колебаний.
Полупроводниковый диод: принцип работы, применение, классификация
Определение 1
Полупроводниковый...
Конструкции на туннельные, лавинные, лавинно-пролетные, диоды Шотки, стабилитроны, фотодиоды и другие...
Исследование полупроводникового диода и его основные параметры
Исследование полупроводникового диода...
Электрический пробой может быть двух видов - лавинный туннельный....
Диапазон частот полупроводникового диода.
Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования переходных процессов в полупроводниковых диодах с тонкой базой. Излагаются основные результаты, полученные при изучении физической природы эффектов переключения и памяти в тонкоплёночных диодных структурах на основе халькогенидных и оксидных стеклообразных полупроводников. Рассматривается влияние центров с глубокими уровнями на вольт-амперные характеристики диодов из GaAs. Подводится итог исследованиям, направленным на разработку методов снижения плотности поверхностных электронных состояний на границе раздела диэлектрик GaAs до уровня, необходимого для создания МДП-транзистора. Показана возможность использования кремниевых туннельных МОП-диодов в качестве малогабаритных, высокочувствительных и быстродействующих газовых сенсоров. Представлены результаты экспериментального исследования основных закономерностей развития винтовой неустойчивости полупроводниковой плазмы в Ge и Si.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
устройство, преобразующее двоичный код в код "1 из N".
возврат электроэнергии в сеть.
