Туннельный полупроводниковый диод

Предмет Электроника, электротехника, радиотехника

👍 Проверено Автор24

полупроводниковый диод на основе вырожденного полупроводника, в котором туннельный эффект приводит к появлению на вольт-амперной характеристике при прямом направлении тока участка отрицательной дифференциальной проводимости.

Научные статьи на тему «Туннельный полупроводниковый диод»

Вальтер Герман Шоттки, немецкий физик

Позже, в контексте полупроводниковых приборов, было высказано предположение о том, что подобный барьер...
проверено, установлено, что барьеры могут действовать (асимметрично) как особая форма электронного диода...
, теперь это называется «диодом Шоттки»....
Несмотря на ошибочные предложения Шоттки, барьер стал стандартом, используемым для туннельного барьера

Статья от экспертов

Исследование свойств туннельного диода в лабораторном практикуме по физике

Дано понятие о туннельном эффекте и рассмотрена проводимость туннельного полупроводникового диода. Описаны учебные эксперименты по исследованию вольтамперной характеристики туннельного диода и использованию его для генерации электрических колебаний.

Creative Commons

Научный журнал

Исследование полупроводникового диода

Полупроводниковый диод: принцип работы, применение, классификация Определение 1 Полупроводниковый...
Конструкции на туннельные, лавинные, лавинно-пролетные, диоды Шотки, стабилитроны, фотодиоды и другие...
Исследование полупроводникового диода и его основные параметры Исследование полупроводникового диода...
Электрический пробой может быть двух видов - лавинный туннельный....
Диапазон частот полупроводникового диода.

Статья от экспертов

Электронные процессы в полупроводниковых диодах и структурах металл диэлектрик полупроводник

Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования переходных процессов в полупроводниковых диодах с тонкой базой. Излагаются основные результаты, полученные при изучении физической природы эффектов переключения и памяти в тонкоплёночных диодных структурах на основе халькогенидных и оксидных стеклообразных полупроводников. Рассматривается влияние центров с глубокими уровнями на вольт-амперные характеристики диодов из GaAs. Подводится итог исследованиям, направленным на разработку методов снижения плотности поверхностных электронных состояний на границе раздела диэлектрик GaAs до уровня, необходимого для создания МДП-транзистора. Показана возможность использования кремниевых туннельных МОП-диодов в качестве малогабаритных, высокочувствительных и быстродействующих газовых сенсоров. Представлены результаты экспериментального исследования основных закономерностей развития винтовой неустойчивости полупроводниковой плазмы в Ge и Si.

Creative Commons

Научный журнал

Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»

Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы

процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.

Детерминированные помехи

наводки от импульсных напряжений на электродах и геометрический шум.

Проходной изолятор

изолятор, образующий проход для проводника через неизолированную перегородку.

Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

Напиши термин
Выбери определение из предложенных или загрузи свое
Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек

Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot