Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность диэлектрика выдерживать воздействие тропического климата без недопустимого ухудшения его свойств.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне