Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
способность металла (изделия) сопротивляться развитию трещин при механических и других воздействиях.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.