Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
кристаллизация, сопровождающаяся образованием ослабленного стыка зон столбчатых кристаллов металла шва, растущих навстречу друг другу от поверхности сплавления.
The available experimental data are generalized with the purpose of determination of relation between speed of dendrite crystals growth and size of diffusion overcooling for different grades of steel.
The results of development of the melts crystallization theory with regard for inoculators influence on structure forming of ingots and metal blocks are given.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.