Гипервысокие частоты
радиочастоты 300-3000 ггц.
ток потребления интегральной микросхемы при отсутствии нагрузки на выходе.
радиочастоты 300-3000 ггц.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
отрицательное анодное напряжение тиристора.