Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
Тетраэдр Томпсона
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
графическое построение для анализа расщепления полных дислокаций в ГЦК решетке.
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Окалинообразованиe
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
Прессовочная трещина, расслой
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
- Тетраэдр
- Технологические категории Томпсона
- Волокниты
- Волокновый материал
- Временные напряжения
- Время открытой выдержки при склеивании (время открытой сборки при склеивании)
- Дифракционный контраст
- Закалочные трещины
- Запрещенная энергетическая зона
- Захват носителя заряда полупроводника
- Зеркало
- Зона транскристаллизации
- Имитатор платины
- Линейная скорость роста
- Магнитомягкий материал
- Оже-спектрометр
- Полимеризация в массе
- Полиэтилен (полиэтен); ПЭ
- Полярный диэлектрик
- Прессовочная трещина, расслой
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек