Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
метод исследования, при котором масса вещества, нагреваемого по заданной температурной программе, измеряется как функция времени или температуры; результатом является термогравиметрическая, или ТГ, кривая: масса откладывается по оси ординат, направленной снизу вверх, а температура или время - по оси абсцисс, направленной слева направо.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
полимеризация, при которой мономер (газ, жидкость или твердое вещество) находится в однородной фазе без растворителя или дисперсионной среды.