Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
способность прибора выдерживать циклические воздействия предельных температур без изменения его характеристик; выражается в количестве циклов с указанием rrредельных температур и времени выдержек.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
ток, стекающий в землю через место замыкания.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.