Высокие частоты
радиочастоты 3-30 мгц.
пробой р-п-перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в р-п-переходе и отводимым от него теплом.
В статье рассмотрена возможность сформировать один р-n-переход биполярного транзистора в виде светоизлучающего, что позволит повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет уменьшения тепловыделений.
радиочастоты 3-30 мгц.
фоточувствительный прибор с переносом заряда, состоящий из нескольких полупроводниковых кристаллов, фоточувствительных модулей, схем коммутации и управления.
изолятор, образующий проход для проводника через неизолированную перегородку.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне