Детекторный полупроводниковый диод
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
пробой р-п-перехода, вызванный ростом числа носителей заряда в результате нарушения равновесия между выделяемым в р-п-переходе и отводимым от него теплом.
В статье рассмотрена возможность сформировать один р-n-переход биполярного транзистора в виде светоизлучающего, что позволит повысить степень интеграции сверхбольших интегральных схем за счет уменьшения тепловыделений.
полупроводниковый диод, предназначенный для детектирования сигнала.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
восьмиэлектродная электронно-управляемая лампа, имеющая анод, катод, управляющий электрод и пять дополнительных электродов.