Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
отношение относительного изменения прямого напряжения полупроводникового излучателя к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне