Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
зависимость абсолютной (относительной, средней квадратической) неравномерности выходного (темнового) сигнала ФППЗ от температуры корпуса.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
теодолит с гирокомпасом.
предел разрешения ЭОП при заданных освещенности и контрасте штриховой миры.