Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
зависимость абсолютной (относительной, средней квадратической) неравномерности выходного (темнового) сигнала ФППЗ от температуры корпуса.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.