Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
отношение корня квадратного из дисперсии темнового сигнала ФППЗ по фоточувствительному полю или его части к напряжению или току насыщения.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
геометрическое место точек поверхности, в которых освещенность одинакова.
прибор для измерения освещенности.