Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
температура корпуса, ограничивающая максимально допустимую мощность рассеивания и максимально допустимый постоянный ток полупроводникового прибора.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.