Дифракционный максимум
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры.
В отношении зонной теории различие электрических свойств проводников, диэлектриков и полупроводников...
свободную зону проводимости иона натрия....
На рис. 3 изображено расположение энергетических зон полупроводника и диэлектрика....
свободную зону, соответственно, уменьшается сопротивление полупроводника....
Переход электронов в свободную зону образует в заполненной зоне вакантные места.
Изучены особенности фазового перехода «диэлектрик-полупроводник» в высококипящих углеводородных фракциях. Температурная зависимость электропроводности высококипящих углеводных фракций образует излом в области температур 65-85 °С, тангенс угла диэлектрических потерь резко возрастает после достижения 65-85 °С. Активное сопротивление образцов ВУФ снижается при нагревании до 65-85 °С с 0.55 МОм до 0.5 МОм для ВБО и с 0.47 МОм до 0.42 МОм для АПД, а затем резко возрастает до 0.8 МОм, при этом комплексное и реактивное сопротивления продолжают уменьшаться при дальнейшем нагревании. Все эти факты подтверждают гипотезу авторов о том, что в образцах ВУФ в области температур 65-85 °С происходит фазовый переход из состояния «диэлектрик» в состояние «полупроводник». Рост электропроводности в высококипящих углеводородных фракциях обеспечивается температурной генерацией носителей заряда свободных радикалов (спинов), образующихся в результате разрыва слабых углерод-углеродных связей, ослабленных со...
Полупроводник представляет собой кристаллическое вещество, у которого ширина запрещенной зоны порядка...
в зону проводимости, таким образом став свободными....
отрицательно заряженных свободных электронов....
В химически чистом полупроводнике количество дырок в всегда равно числу свободных электронов, а электрический...
Валентные электроны находятся на энергетическом уровне, который располагается близко к зоне валентных
Исследованы спектральные зависимости коэффициентов отражения и поглощения света (при T = 300 K) в слоистом полупроводнике PbBi4Te7, легированном примесями серебра или кадмия и собственными дефектами. Все исследованные образцы обладали высокими холловскими концентрациями электронов nH = (eRH)–1, превышающими 5·1020 см–3. Показано, что оптические переходы в PbBi4Te7 на пороге межзонного поглощения являются прямыми и разрешенными. Установлено, что закон дисперсии электронов в этом соединении не параболичен и может быть описан в рамках кейновской модели непараболичности с учетом обменного взаимодействия свободных электронов. Оценены величины основных зонных параметров изучаемого соединения.
максимум интенсивности рассеянных рентгеновских луче.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
полимеризация, при которой мономер (газ, жидкость или твердое вещество) находится в однородной фазе без растворителя или дисперсионной среды.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве