Линейная скорость роста
скорость увеличения линейного размера кристалла.
разрешенная зона полупроводника, в которой отсутствуют электроны проводимости при абсолютном нуле температуры.
В отношении зонной теории различие электрических свойств проводников, диэлектриков и полупроводников...
свободную зону проводимости иона натрия....
На рис. 3 изображено расположение энергетических зон полупроводника и диэлектрика....
свободную зону, соответственно, уменьшается сопротивление полупроводника....
Переход электронов в свободную зону образует в заполненной зоне вакантные места.
Изучены особенности фазового перехода «диэлектрик-полупроводник» в высококипящих углеводородных фракциях. Температурная зависимость электропроводности высококипящих углеводных фракций образует излом в области температур 65-85 °С, тангенс угла диэлектрических потерь резко возрастает после достижения 65-85 °С. Активное сопротивление образцов ВУФ снижается при нагревании до 65-85 °С с 0.55 МОм до 0.5 МОм для ВБО и с 0.47 МОм до 0.42 МОм для АПД, а затем резко возрастает до 0.8 МОм, при этом комплексное и реактивное сопротивления продолжают уменьшаться при дальнейшем нагревании. Все эти факты подтверждают гипотезу авторов о том, что в образцах ВУФ в области температур 65-85 °С происходит фазовый переход из состояния «диэлектрик» в состояние «полупроводник». Рост электропроводности в высококипящих углеводородных фракциях обеспечивается температурной генерацией носителей заряда свободных радикалов (спинов), образующихся в результате разрыва слабых углерод-углеродных связей, ослабленных со...
Полупроводник представляет собой кристаллическое вещество, у которого ширина запрещенной зоны порядка...
в зону проводимости, таким образом став свободными....
отрицательно заряженных свободных электронов....
В химически чистом полупроводнике количество дырок в всегда равно числу свободных электронов, а электрический...
Валентные электроны находятся на энергетическом уровне, который располагается близко к зоне валентных
Исследованы спектральные зависимости коэффициентов отражения и поглощения света (при T = 300 K) в слоистом полупроводнике PbBi4Te7, легированном примесями серебра или кадмия и собственными дефектами. Все исследованные образцы обладали высокими холловскими концентрациями электронов nH = (eRH)–1, превышающими 5·1020 см–3. Показано, что оптические переходы в PbBi4Te7 на пороге межзонного поглощения являются прямыми и разрешенными. Установлено, что закон дисперсии электронов в этом соединении не параболичен и может быть описан в рамках кейновской модели непараболичности с учетом обменного взаимодействия свободных электронов. Оценены величины основных зонных параметров изучаемого соединения.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.
полимер, полученный из двух или более видов мономера.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне