структура, состоящая из последовательного сочетания металла, диэлектрика и полупроводника.
В отношении зонной теории различие электрических свойств проводников, диэлектриков и полупроводников...
Зонная структура диэлектриков
Валентная зона, которая объединяет внешние электроны атомов или ионов...
Зонная структура полупроводников
В том случае, если полностью занятая электронами зона разделена с ближайшей...
На рис. 3 изображено расположение энергетических зон полупроводника и диэлектрика....
Зонная структура металлов
Определим условия проводимости металлов.
Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования переходных процессов в полупроводниковых диодах с тонкой базой. Излагаются основные результаты, полученные при изучении физической природы эффектов переключения и памяти в тонкоплёночных диодных структурах на основе халькогенидных и оксидных стеклообразных полупроводников. Рассматривается влияние центров с глубокими уровнями на вольт-амперные характеристики диодов из GaAs. Подводится итог исследованиям, направленным на разработку методов снижения плотности поверхностных электронных состояний на границе раздела диэлектрик GaAs до уровня, необходимого для создания МДП-транзистора. Показана возможность использования кремниевых туннельных МОП-диодов в качестве малогабаритных, высокочувствительных и быстродействующих газовых сенсоров. Представлены результаты экспериментального исследования основных закономерностей развития винтовой неустойчивости полупроводниковой плазмы в Ge и Si.
Структура....
Согласно данному признаку электроматериалы делятся на диэлектрики, проводники и полупроводники....
Полупроводники представляют собой материалы с узкой запрещенной зоной, которая преодолевается благодаря...
Согласно данному признаку диэлектрики делятся на органические и неорганические.
Структура....
Согласно данному признаку диэлектрики делятся на материалы с молекулярной структурой, с ионной структурой
Рассмотрены многослойные покрытия из наноразмерных слоёв металл–диэлектрик–полупроводник, расположенных на прозрачной подложке, описываемые на основе модели Друде–Лоренца и представляющие собой многополосные фильтры – экраны для различных диапазонов. Исследуются структуры с несколькими слоями и квазипериодические структуры. Предложен метод приближённого синтеза по полосам заграждения для структур типа два слоя в периоде и три слоя в периоде. Для трёх слоёв различие в плазменных частотах позволяет расширить полосу. Показано, что полупроводниковые слои из узкозонных материалов типа InSb перспективны для структур ТГц-диапазона с возможностью подстройки диапазонов путём легирования.
насос, встроенный внутрь оболочки генераторной (модуляторной, регулирующей) лампы или соединенный с нею при помощи неразъемного соединения и предназначенный для поддержания в ней необходимого вакуума.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
газовый лазер, в котором лазерные переходы происходят между уровнями энергии молекул.
