Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дефект решетки в соединении, созданный избытком или достатком атомов по сравнению со стехиометрическим составом.
Расcмотрены особенности формирования точечных дефектов в высокотемпературном сверхпроводнике YBa2Cu3O7– д . Показано, что в многокомпонентных оксидных материалах система точечных дефектов кристаллической решетки ВТСП YBa2Cu3O7– д представляет собой внутреннюю неупорядоченность атомов, а это дефекты по Шоттки и Френкелю, которые существуют в материалах при всех температурах, выше 0К. Приведены соотношения для равновесия дефектов с учетом степени ионизации катионов и анионов. Определены наиболее вероятные пары вакансий в катионной и анионной подрешетках YBa2Cu3O6 стехиометрического состава при соблюдении электронейтральности. Рассмотрены особенности формирования дефектов по Шоттки и Френкелю. Показано, что в обеспечении электронейтральности наряду с дефектами по Шоттки и Френкелю принимают участие иэлектроны, так и ионы с различной степенью ионизации. Источником электронов являются нейтральные кислородные вакансии, освобождающиеся в результате реакций электроны в зависимости от их эне...
Целью данной работы являлось исследование физико-химических свойств природных и активированных различными способами литейных скрытокристаллических графитов. В ходе работы установлено, что в процессе химической и химико-механической активации, средний размер частиц графита изменяется с 14,8 до 12,3 и 6,8 мкм соответственно. Элементный состав существенно зависит от технологии химической активации графита. Содержание кальция уменьшается в 2,5-6,0 раз, а серы в графите окислениявозрастает в 2,5-5,0 раз в зависимости от типа окислителя, железа в 2,0-2,5 раза, при этом в ходе химической активации соединения серы (пирит, пирротин и халькопирит) под действием окислителя переходят в комплексные соединения переменного стехиометрического состава. Содержание остальных элементов существенно не изменяется. Результаты исследований структуры показали, что при обработке графита наблюдается увеличение ширины характерного пика, что свидетельствует о насыщении структуры графита дефектами упаковки слоев...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
термомеханическая обработка стали, проводимая во время превращения аустенита в перлит.
полимер стирола.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве