Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пробивное напряжение при медленном увеличении приложенного к диэлектрику напряжения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.
пластмасса с использованием стирола или сополимеров стирола в сочетании с другими мономерами, причем стирол присутствует в наибольшем количестве.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне