Геометрическая ось полупроводникового излучателя
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
время, за которое измеряемые световые параметры при температуре окружающей среды 25 °C и номинальном прямом токе составят не менее n % начальных значений.Должна быть указана соответствующая температура активной области; для достижения заданной температуры активной области должно быть приведено указание о требованиях к теплоотводу.
воображаемая линия, по отношению к которой отцентрирован корпус полупроводникового излучателя.
фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения.
область проводимости между двумя электродами газоразрядного прибора.