Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
оптический спектрометр, предназначенный для измерений и регистрации спектров комбинационного рассеяния.
В статье решается задача восстановления спектров комбинационного рассеяния света в спектральном диапазоне 800–1050 нм, получаемых на макете статического фурье-спектрометра. Исследован характер искажений, вносимых оптической системой статического фурье-спектрометра. Предложен метод исправления оптических искажений. Метод апробирован на примере восстановления спектра монохроматического источника излучения. На основе анализа спектрограмм профилей интерференционных картин получена карта распределения периодов двумерной интерференционной картины. Построено отображение для исправления оптических искажений двумерной интерферограммы. Результаты исправления продемонстрированы на профилях интерференционных полос. В работе проведено сопоставление различных известных методов коррекции фазы с целью выявления оптимального способа для решаемой задачи. Предложен критерий соответствия восстановленных спектров эталонному спектру. В качестве эталонного использовался спектр комбинационного рассеяния св...
Впервые проведено измерение толщины покрытия фармацевтических таблеток совместно спектрометрией комбинационного рассеяния света (КР) и спектрометрией лазерно-индуцированной плазмы (СЛИП). Измерение двумя методами (КР и СЛИП) проводили в течение длительности одной вспышки лампы-накачки при двухимпульсном режиме генерации импульсного Nd:АИГ лазера. Данный подход, сочетающий зондирующий лазерный импульс (КР), за которым следует аблирующий импульс СЛИП, позволяет проводить послойный анализ вещества. Дополнительным преимуществом является возможность сопоставить результаты измерений молекулярного и элементного состава в течение одного измерения и из одной точки. Показано, что ранее предложенный в литературе способ измерения толщины покрытия методом СЛИП при послойном анализе приводит к систематической ошибке измерения толщины покрытия. Предложен подход для повышения точности измерений толщины покрытия при сопоставлении данных КР и СЛИП.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лазерное излучение, направленное в пространстве.
составляющая шума прибора СВЧ, вызванная тепловым движением носителей заряда.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве