Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
разрушение хрупкого материала, вызываемое касательными напряжениями.
которые обнаруживаются в случае действия на древесину внешних сил, таких как растяжение, кручение, скалывание...
К основным видам сил, действующим на образец древесины относятся скалывание, растяжение, изгиб и сжатие...
При скалывании вдоль волокон прочность составляет около 20 % от прочности при сжатии вдоль волокон, при...
скалывании поперек волокон - в два раза меньше, чем при скалывании вдоль волокон.
Среди находок из камня – нуклеусы (уплощенные многоплощадочные, с двусторонним скалыванием, грубо- призматические...
одноплощадочные с односторонним скалыванием, а также клиновидные и торцевые)....
Также среди находок порядка 300 нуклеосов: клиновидные одноплощадочные с торцевым скалыванием пластин
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
скорость увеличения линейного размера кристалла.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве