Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
ячеистая пластмасса, наполнителем в которой служат полые сферические частицы.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
образованиe на поверхности металла (изделия) продукта газовой коррозии - окалины.