Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
ширина дифракционного максимума.
Следовательно, ширина уровня является небольшой для того, чтобы имело смысл рассмотреть энергии атома...
Такие уровни называют рентгеновскими термами....
Ширина рентгеновского терма определена суммарной вероятностью всех процессов перестройки электронной...
много больше, чем скорости нормальных переходов Оже и оказывают влияние на относительные интенсивности линий...
ширина валентой зоны.
Проведен сравнительный анализ рентгеновской трубки и источника на основе параметрического рентгеновского излучения. Интенсивность параметрического излучения источника на базе компактного линейного ускорителя с энергией пучка 6 МэВ и током 100 мкА сравнима с интенсивностью стандартной рентгеновской трубки. Возможность плавного изменения энергии излучения параметрического излучения в широком энергетическом диапазоне от 6 до 130 кэВ с шириной линии порядка 300 эВ на порядки повысит контрастность получаемого изображения и на порядок снизит дозовую нагрузку.
Согласно данному признаку системы телевизионного вещания делятся на системы светового, рентгеновского...
Тип линии связи....
Ширина спектра телевизионного сигнала.
Количество кадров в секунду....
Формат кадра рассчитывается по следующей формуле:
$к = b/h$
где: b - ширина изображения; h - высота изображения...
Ширина спектра телевизионного сигнала определяется граничной верхней частотой:
$f = N1 / 2$
где N1 -
Методом рентгеновской дифрактометрии на синхротронном излучении проведено прецизионное исследование эволюции микроструктуры сплава Zr – 1 % Nb, деформированного одноосным растяжением. Обнаружен немонотонный характер зависимости ширины дифракционных линий, флуктуации интенсивности отражений и упругих микроискажений от локальной деформации и действующего напряжения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
скорость увеличения линейного размера кристалла.