Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
расстояние между точками на кривой ферримагнитного резонанса на половине ее высоты.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
увеличениe содержания углерода в поверхностном слоe металла (изделия).
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне