материал, предназначенный для использования его сегнетоэлектрических свойств; в зависимости от структуры материала различают сегнетоэлектрические монокристаллы, сегнетокерамику, сегнетоситаллы; в зависимости от значения коэрцитивной силы сегнетоэлектрика различают сегнетомягкие и сегнетотвердые материалы.
Примером сегнетокерамического материала, который широко применяется на практике, служит вещество с названием...
Для изготовления небольших конденсаторов чаще используют другой материал (CМ-1), который имеет сглаженную...
Еще один сегнетокерамический материал T-8000 состоит из твердого раствора титаната бария и цирконата...
Этот материал используется для конденсаторов, которые применяются в узком интервале комнатной температуры...
энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти.
Впервые показано, что поликристаллический литий-титановый феррит обладает сегнетоэлектрическими свойствами, выражающимися как в наблюдении "аномалий" диэлектрических характеристик, свойственных сегнетоэлектрикам, так и свойствами, напрямую индицирующими рассматриваемый материал как сегнетоэлектрический получением петель гистерезиса и регистрацией импульсов тока переполяризации (импульсов Баркгаузена).
Расчет параметров диэлектрических материалов
Определение 1
Диэлектрик – это материал, который...
Самое маленькое значение данного параметра у неполярных диэлектриков, а максимальное у диэлектриков с сегнетоэлектрическими...
– это материал, который вступает во взаимодействие с магнитным полем, выражающееся в его изменении....
Если образец материала намагничивать, непрерывно повышать напряженность магнитного поля, то магнитная...
Потери на вихревые токи зависят от удельного электрического сопротивления материала.
Путем компактирования нанопорошка титаната бария (BaTiO3) с последующим отжигом на воздухе при температуре 1200 оС получены образцы наноструктурированного титаната бария со средним размером кристаллитов около 50 нм. На основании результатов рентгенофазного анализа и исследований температурных зависимостей диэлектрической проницаемости в интервале температур 20 200 оС установлено, что материал при температуре ТС » 140 оС претерпевает сегнетоэлектрический фазовый переход первого рода. Изучена реверсивная диэлектрическая нелинейность материала в интервале электрических полей 0 ± 4 кВ/см. Обнаруженная в параэлектрической фазе нелинейность диэлектрической проницаемости качественно соответствует предсказаниям феноменологической теории сегнетоэлектрических фазовых переходов первого рода. Наряду с этим обосновано предположение о наличии существенно выше ТС областей сегнетоэлектрической фазы, стабилизированных, предположительно, дефектами кристаллической решетки. Анализ формы, наблюдаемой в ...
процесс, происходящий при нагреве деформированного металла до температуры 0,3Тпл, при котором уменьшается плотность дефектов и происходит их перераспределение внутри зёрен, что приводит к некоторому снижению внутренней энергии и небольшому (на 10–15 %) уменьшению твёрдости и прочности.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве
