явление, при котором некоторые кристаллы (которые называются сегнетоэлектриками по аналогии с ферромагнетиками, проявляющими постоянный магнитный момент) могут проявлять спонтанный дипольный момент. Сегнетоэлектрические кристаллы часто показывают особую точку Кюри, доменную структуру и гистерезис более чем ферромагнитные кристаллы.
Известно более ста разных чистых сегнетоэлектриков и большое количество сегнетоэлектрических растворов...
Сегнетоэлектрики способны переходить из состояния с эффектом сегнетоэлектрика в состояние, когда спонтанная...
В сильных полях у подобных веществ возможен переход в сегнетоэлектрическое состояние....
Пример 2
Задание: Что называют сегнетоэлектрической точкой Кюри?...
Температура такого фазового перехода получила и называется сегнетоэлектрической точкой Кюри.
Определена зависимость эффективной диэлектрической проницаемости наногранулированной сегнетоэлектрической пленки от размера гранулы и толщины "мертвого" слоя.
Чаще всего для изготовления сегнетоэлектрических конденсаторов используют твердые растворы....
Лазеры
Некоторые сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики имеют очень выраженный электрооптический эффект...
Данный эффект носит название - позисторный....
энергонезависимой сегнетоэлектрической памяти....
решетки необходимы низкие энергии сегнетоэлектрического упорядочения.
Впервые экспериментально определены пьезоэлектрические модули нового высокотемпературного сегнетоэлектрического кристалла LaBGeO5(LBGO) при комнатной температуре. Показано, что пьезоактивность этого кристалла близка к пьезоактивности кварца. Из сравнительного анализа температурных зависимостей спонтанной поляризации и спонтанной деформации, а также измеренных величин пьезомодулей при комнатной температуре показано, что данный кристалл, претерпевающий при фазовом переходе (Тс = 533°С) изменение симметрии 32 → 3, не является мультиферроиком; его «переходящие» пьезомодули не должны испытывать заметных аномалий в точке Кюри, а для морфических пьезомодулей, связанных с поляризацией вдоль полярной оси 3, ожидается обычная для одноосных сегнетоэлектриков зависимость d3i~(Tc-T)-1/2.
математическое выражение, линейный или поверхностный интеграл, который включает в себя фронт трещины от одной поверхности трещины до другой, используемый для характеристики вязкости разрушения материала имеющего до разрушения заметную пластичность. J-интеграл устраняет необходимость в описании поведения материала вблизи вершины трещины, рассматривая локальное распространение напряжений и деформаций вблизи фронта распространения трещины.
сварка плавлением без использования присадочного материала.
кристалл, чье строение кристаллической решетки является обычным, но чьи наружные поверхности не ограничены правильными гранями кристалла; наружные поверхности, соприкасающиеся с другими кристаллами, имеют неоднородную форму из-за разностороннего роста.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне
