Дифракционный контраст
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
пространственная кристаллическая решетка, в элементарной ячейке которой межузловые расстояния вдоль координатных осей неодинаковы, а углы между осями составляют 90°.
Кристаллические решетки и системы
Определение 2
Кристаллическая решетка – это вспомогательный...
Кристаллическая решетка схожа с сеткой или канвой, что позволяет называть точки решетки узлами....
Таким образом кристаллическая решетка представляет собой совокупность точек, возникающих из отдельной...
В зависимости от пространственной симметрии все кристаллические решетки можно разделить на семь кристаллических...
К данной категории относятся триклинная, моноклинная и ромбическая кристаллические системы.
При неизотермической кристаллизации ПАН из раствора в пропиленкарбонате образуется ротационно-кристаллическая ромбическая структура с увеличенными значениями параметров элементарной ячейки по сравнению с их значениями в сухих образцах вследствие проникновения пропиленкарбоната в решетку полимера. Получены волокна ПАН из растворов в пропиленкарбонате с максимальной кратностью вытяжки А, = 40. В таких волокнах экваториальные рефлексы 400 и 220 ротационно-кристаллической ромбической структуры исчезали и наблюдались только экваториальные рефлексы 010 и 300 ротационно-кристаллической гексагональной структуры с ухудшенной ориентацией кристаллитов по сравнению с волокном, сформованном из раствора в ДМФ А с X = 20, что свидетельствует о пластифицирующем влиянии пропиленкарбоната на структуру волокон.
По типу решетки башни делятся на те, что имеют раскосную решетку, перекрестную решетку, ромбическую решетку
Методами дифференциально-термического, рентгенофазового, микрострук-турного анализов и измерением микротвердости исследована квазитройная система Sb 2S 3-PbS-Bi 2S 3. В системе найдено четверное соединение PbSbBiS 4, плавящееся конгруэнтно при 870 К. Установлено, что соединение PbSbBiS 4 кристаллизуется в ромбической сингонии с параметрами решетки a=15,72, b=11,36, c=4,41Å, пр. гр. Pnam, Z=4.
контраст на изображении, возникающий вследствие дифракции излучения.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
полимер этилена [этена].
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве