Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
пространственная решетка, узлы которой лежат на нормалях к плоскостям прямой кристаллической решетки, а расстояниe между узлами вдоль нормали равно обратному расстоянию между плоскостями прямой кристаллической решетки; например, для ОЦК решетки обратной является ГЦК решетка, для ГЦК - ОЦК.
Допустим, что кристаллическая решетка металла или полупроводника образована в результате сближения атомов...
Процесс ионизации сопровождается обратным процессом -- рекомбинацией....
Обратный процесс -- рекомбинация электрона проводимости и положительной дырки - электронный переход...
Обратный ему процесс захвата электрона на атом донора -- электронный переход 4 из зоны проводимости на...
Сблизим атомы, до образования кристаллической решетки.
Определены параметры Q3D-течения в межлопаточных каналах для неподвижной и вращающейся рабочей решетки газовой турбины, используя решения прямых задач. Спроектированы межлопаточные каналы новых решеток и соответствующие им профиля с помощью обратной задачи. Определено влияние вращения, формы поверхности тока и граничных условий обратной задачи на геометрические характеристики профилей и на коэффициенты профильных потерь решеток
Чтобы этих обратных шагов было как можно меньше, нам необходимо в самом начале работы уделить время сбору...
Препятствие сдвигу двух частей колонны обеспечивается решеткой, которая может быть выполнена из стальных...
Решетку монтируют с двух сторон, приваривая к граням ветвей....
Решетка может быть треугольной или раскосной.
Рисунок 2....
Ветви воспринимают продольную усилия, поперечная сила сосредоточена в решетке.
В статье с использованием интегральных уравнений Халлена и численного метода Крылова-Боголюбова для частичного обращения их операторов построена электродинамическая модель кольцевой решетки несимметричных логопериодических вибраторных антенн диапазона высоких частот, расположенной на земной поверхности. Выявлены закономерности возбуждения вибраторов, образующих активные области антенн с учетом электромагнитных связей в решетке через токи распределительных линий и поля вторичного излучения. Проведен анализ зависимостей диаграмм направленности и обратного рассеяния решетки от числа и электрических размеров антенн.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.