Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
метод неразрушающего контроля материала (изделия), заключающийся в выявлении дефектов путем регистрации проходящих через исследуемый объект рентгеновских лучей.
параметрам конструкции, которые определяются согласно СНиП III 18-75, а также руководством по обследованию и дефектоскопии...
Радиографический контроль основан на прохождении рентгеновских лучей через металл....
Для фиксации результатов используется специальный дефектоскоп, который является дорогостоящим оборудованием...
Совершенствование этого метода может осуществляться с помощью применения более дешевых материалов при изготовлении дефектоскопа
видом контроля считается измерительный контроль, который выполняется с помощью средств измерения - дефектоскопов...
камень, металл, стекло, кость и пластмасса высокой плотности) инородных включений является система рентгеновского
В статье представлены сведения, посвященные использованию досмотровых рентгеновских установок в качестве дефектоскопов древесины с сердцевинной гнилью. Основным направлением работы досмотровых рентгеновских установок является сканирование багажа на провозимые опасные и запрещенные вещества. Использование данного прибора для дефектоскопии древесины актуально тем, что прибор имеет строение проходного типа, соответственно при небольшой модернизации оборудования получаем готовый прибор для дефектоскопии круглых лесоматериалов. В модернизацию входит замена транспортировочной ленты на цепной транспортер. По сравнению с аналогичным дефектоскопом на основе томографа имеем преимущество в размере рабочей камеры, т. к. она ограничена только размерами помещения, где производится дефектоскопия. Размеры досмотровых систем возможны от портативных, которыми можно работать вручную, до систем, способных производить досмотр грузовых автомобилей. Специфика работы досмотрового рентгена подразумевает бол...
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
участок слитка, где срастаются столбчатые кристаллы; при этом зоны крупных равноосных зёрен округлой формы не образуется.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве