Оже-микроскоп
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
часть диэлектрических потерь, обусловленная релаксационной диэлектрической дисперсией.
Показана применимость теории вынужденных колебаний для расчета диэлектрических характеристик стеатитовой керамики СК-1. В качестве примера приводится экспериментально полученный результат измерения образцов, изготовленных в разное время по одинаковой технологии, но имеющие разброс диэлектрических характеристик. Показаны области частот с преобладанием потерь проводимости и релаксационных потерь.
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
химическоe соединениe элемента с кислородом.
полимер этилена [этена].