Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Разрешенная зона полупроводника

Предмет Материаловедение
👍 Проверено Автор24

энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла.

Научные статьи на тему «Разрешенная зона полупроводника»

Зонная теория твердых тел, энергетические уровни и формирование энергетических зон

Ширина разрешенных зон увеличивается при увеличении энергии....
Такая система несовпадающих уровней энергии -- разрешенная зона энергий....
в заполнении разрешенных зон....
Необходимое условие проводимости -- наличие в разрешенной зоне свободных энергетических уровней....
У кристаллических полупроводников ширина запрещенной зоны между полностью заполненной валентной зоной

Статья от экспертов

Прогнозирование положения уровня Ферми в полупроводнике чувствительного слоя сенсора газа

Представлена модель расчета положения уровня Ферми относительно разрешенных зон в полупроводнике чувствительного слоя кондуктометрического сенсора в равновесном состоянии. Предложенная модель позволяет учесть присутствие в полупроводнике многозарядных дефектов кристаллической решетки, а также вырождение носителей заряда. Описанный в работе алгоритм может быть использован с целью прогнозирования характеристик кондуктометрических сенсоров газа, в том числе газовой чувствительности, а также уточнения исходных данных при проектировании структур экстремальной электроники и оптимизации режимов их функционирования.

Научный журнал

Особенности зонной структуры диэлектриков, полупроводников и металлов

В отношении зонной теории различие электрических свойств проводников, диэлектриков и полупроводников...
Разницей в заполнении электронами разрешенных энергетических зон....
разрешенной зоной узкой запрещенной зоной, то такое вещество является диэлектриком только при температурах...
На рис. 3 изображено расположение энергетических зон полупроводника и диэлектрика....
свободную зону, соответственно, уменьшается сопротивление полупроводника.

Статья от экспертов

Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур

В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.

Научный журнал

Еще термины по предмету «Материаловедение»

Закалка ступенчатая

охлаждение после нагрева производится в расплаве щелочей при температуре немного выше температуры начала образования мартенсита, но до начала распада аустенита, а затем в воде или на воздухе.

🌟 Рекомендуем тебе

Окалиностойкость

способность металла (сплава) сопротивляться образованию на его поверхности окалины.

🌟 Рекомендуем тебе
Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot