Линейная скорость роста
скорость увеличения линейного размера кристалла.
Разрешенная зона полупроводника
Предмет
Материаловедение
👍 Проверено
Автор24
энергетическая зона или совокупность перекрывающихся в результате расщепления из какого-либо одного или нескольких энергетических уровней изолированных атомов в процессе образования структуры кристалла.
Научные статьи на тему «Разрешенная зона полупроводника»
Зонная теория твердых тел, энергетические уровни и формирование энергетических зон
Ширина разрешенных зон увеличивается при увеличении энергии....
Такая система несовпадающих уровней энергии -- разрешенная зона энергий....
в заполнении разрешенных зон....
Необходимое условие проводимости -- наличие в разрешенной зоне свободных энергетических уровней....
У кристаллических полупроводников ширина запрещенной зоны между полностью заполненной валентной зоной
Статья от экспертов
Прогнозирование положения уровня Ферми в полупроводнике чувствительного слоя сенсора газа
Представлена модель расчета положения уровня Ферми относительно разрешенных зон в полупроводнике чувствительного слоя кондуктометрического сенсора в равновесном состоянии. Предложенная модель позволяет учесть присутствие в полупроводнике многозарядных дефектов кристаллической решетки, а также вырождение носителей заряда. Описанный в работе алгоритм может быть использован с целью прогнозирования характеристик кондуктометрических сенсоров газа, в том числе газовой чувствительности, а также уточнения исходных данных при проектировании структур экстремальной электроники и оптимизации режимов их функционирования.
Creative Commons
Научный журнал
Особенности зонной структуры диэлектриков, полупроводников и металлов
В отношении зонной теории различие электрических свойств проводников, диэлектриков и полупроводников...
Разницей в заполнении электронами разрешенных энергетических зон....
разрешенной зоной узкой запрещенной зоной, то такое вещество является диэлектриком только при температурах...
На рис. 3 изображено расположение энергетических зон полупроводника и диэлектрика....
свободную зону, соответственно, уменьшается сопротивление полупроводника.
Статья от экспертов
Влияние электрофизических параметров кремниевой подложки на гистерезис вольт-фарадных характеристик МОП-структур
В работе приведены результаты исследования гистерезиса ВФХ структур металл-окисел-полупроводник. Показано, что свойства гистерезиса ВФХ, возникающего при облучении МОП-структур, определяются типом проводимости подложки и его удельным сопротивлением и обусловлены процессами захвата носителей заряда из разрешенных энергетических зон кремния на ловушечные центры в окисле.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Материаловедение»
Полиэфиропласт
реактопласт, который формируется в результате отверждения ненасыщенной полиэфирной смолы.
Полярный диэлектрик
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.
- Валентная зона полупроводника
- Заполненная зона полупроводника
- Запрещенная зона полупроводника
- Зона проводимости полупроводника
- Примесная зона полупроводника
- Свободная зона полупроводника
- Энергетическая зона полупроводника
- Ширина запрещенной зоны полупроводника
- Разрешение
- Полупроводники
- Полупроводник
- Разрешение на строительство
- Разрешение (resolution)
- Разрешение на отклонение
- Разрешение на отступление
- Разрешение конфликта
- Разрешение конфликтов
- Капитал разрешенный
- Разрешение на сброс
- Предел разрешения
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
