Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
расстояние между блоком источника альбедного (эмиссионного) прибора или блоком детектирования и измеряемым материалом.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
внутренний элемент газоразрядного прибора для поддержания необходимого давления газа.
регистрирующий прибор для измерения зависимости диаметра зрачка от времени.