Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
расстояние между блоком источника альбедного (эмиссионного) прибора или блоком детектирования и измеряемым материалом.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
прибор для измерения освещенности.
оптический спектральный прибор, предназначенный для визуального наблюдения спектров.