Глобальная оптимизация радиоэлектронной схемы
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
состояние электронно дырочноrо перехода, характеризующееся высокой электрической проводимостью, возникающее при приложении к области с дырочной проводимостью положительного потенциала, под действием которого в этой области увеличивается количество носителей заряда с энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера и протекания прямого тока через р-п-переход.
процесс поиска глобального экстремума целевой функции радиоэлектронной схемы.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве