Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
возникновение продольного градиента температур в полупроводнике вследствие разброса скоростей носителей зарядов при протекании через него электрического тока и при воздействии поперечного магнитного поля.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
изменение линейных размеров тел при изменении температуры.