Атомно-абсорбционный спектрометр
оптический спектрометр, предназначенный для измерений и регистрации спектрального коэффициента пропускания и (или) спектральной оптической плотности атомных паров.
Пробивное напряжение фотодиода
Предмет
Приборостроение и оптотехника
👍 Проверено
Автор24
значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения.
Научные статьи на тему «Пробивное напряжение фотодиода»
Исследование полупроводникового диода
Конструкции на туннельные, лавинные, лавинно-пролетные, диоды Шотки, стабилитроны, фотодиоды и другие...
полупроводникового диода, которые также необходимо определять в процессе его исследования, относятся:
Пробивное...
напряжение....
к диоду в обратном напряжении....
Uпроб - напряжение пробоя.
Статья от экспертов
Assembling a matrix of photodiodes based on MapD
The assembly of sixteen element matrix based on micropixel avalanche photodiodes of the type MAPD-3NM are presented. Measurements of the I-V characteristics were carried out, as a result of which the breakdown and operating voltages were determined. Photodiodes were selected with the same operating voltage for homogeneous assembly. The dark current and photocurrent of devices are measured.
Creative Commons
Научный журнал
Моделирование конструкции лавинных фотодиодов с охранными областями для регистрации маломощных световых потоков
Проведено моделирование конструкции охранной области и величины напряжения пробоя лавинного фотодиода со структурой диода Рида. Показано влияние полевой обкладки с системой охранных колец на область пробоя n+-p перехода и предложен метод ее реализации. Установлен требуемый профиль примеси в эпитаксиальной пленке при концентрации примеси в подложке ~2,5·1014 см-3, определены пробивные напряжения диода с охранными кольцами, распределение в нем электрического поля и области пробоя.
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Приборостроение и оптотехника»
Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
Время измерения
время, прошедшее с момента измерения измеряемой величины или начала принудительного цикла измерения до момента получения нового результата измерения на отсчетном устройстве с нормированной погрешностью.
- Пробивное напряжение диэлектрика
- Пробивное напряжение затвора
- Импульсное пробивное напряжение диэлектрика
- Поверхностное пробивное напряжение диэлектрика
- Статическое пробивное напряжение диэлектрика
- Пробивное напряжение коллектор-база
- Пробивное напряжение коллектор-эмиттер
- Пробивное напряжение эмиттер-база
- Фотодиод
- Коэффициент импульса пробивного напряжения диэлектрика
- Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора
- Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора
- Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора
- Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора
- Инжекционный фотодиод
- Лавинный фотодиод
- Фотодиод (Photodiode)
- Фотодиод с гетеропереходом
- PIN-фотодиод
- Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
