Время спада импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
увеличение ширины наблюдаемой или регистрируемой линии спектра вещества за счет «приборных» причин; «приборными» причинами могут быть неоднородность поляризующего магнитного поля радиоспектрометра, нестабильность частоты радиочастотного поля и т.п.
интервал времени, в течение которого сила излучения полупроводникового излучателя изменяется от 90 до 10 % своего максимального значения.
лампа, оптическое излучение в которой создает дуговой разряд.
объект, вносящий фазовую модуляцию в волновой фронт.