Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
порошок, частицы которого имеют тот же химический состав, что и получаемый легированный порошковый материал; преимуществом порошка является однородный химический состав порошкового материала и его более высокие свойства, а недостатком - пониженная прессуемость по сравнению с порошковой шихтой, составленной из порошков отдельных элементов.
Представлены результаты исследования процессов прессования и спекания смесей грубодисперсного порошка вольфрама, легированного никелем, с добавками нанодисперсного электровзрывного вольфрамового порошка и порошковой шихты на основе нанодисперсного порошка вольфрама, содержащей нанодисперсные добавки никеля. Показано, что добавка до 10 мас. % вольфрамового нанопорошка к грубодисперсному активирует процесс спекания прессовок. Установлено, что добавление нанодисперсного порошка никеля в нелегированный порошок вольфрама в количестве до 1 мас. % более эффективно активирует процесс спекания, чем предварительное легирование вольфрамового порошка никелем. Проанализировано влияние содержания добавки нанодисперсного порошка на структуру и свойства спеченного материала. Работа выполнена при финансовой поддержке гранта РФФИ № 08-08-12077-офи.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.
трещина в прессовке, возникающая в процессе прессования порошка.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне