Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
легированный порошок, частицы которого по химическому составу отличаются от изготавливаемого материала; переработка такого порошка обеспечивает лучшую химическую однородность порошкового материала и лучшие свойства по сравнению со смесями из элементных порошков; частично легированные порошки легче прессуются по сравнению с полностью легированными порошками; примером служат легированные железные порошки, содержащие Ni, Cu, Mo, из которых в смесях с графитом получают порошковые легированные стали.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
декоративный и ювелирный сплав цинка, содержащий 45% Сu и заменяющий платину в украшениях.
химическоe соединениe элемента с кислородом.