Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дополнительное отверждение при повышенной температуре, обычно без приложения давления, для улучшения физико-механических характеристик матрицы и/или завершения процесса отверждения или для уменьшения процентного содержания летучих веществ; в некоторых смолах полное отверждение и достижение наилучших физико-механических характеристик происходит только в результате воздействия на отвержденную смолу температур, превышающих температуру отверждения.
Рассмотрены результаты влияния факторов постотверждения на свойства полимерных композиционных материалов.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
дешевый ювелирный и декоративный сплав, содержащий 5% Ag, 5% Сu, Al - ост..
полимер стирола.