Ангстрем
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
сложный полиэфир терефталевой кислоты и этиленгликоля.
С каждым годом росло освоение данных материалов, были разработаны материалы: лавсан, полиэтилентерефталат
Рассмотрены способы создания композиционных материалов на основе вторичного полиэтилентерефталата (ПЭТФ) и различных функциональных добавок. Обоснован выбор способа переработки ПЭТФ и возможности рециклизации его с целью получения новых материалов в различных областях промышленности. Приведена технологическая схема переработки ПЭТФ, состоящая из последовательно выполняемых операций. Разработан ряд композиций на основе ПЭТФ и различных добавок, определены оптимальные составы композиций. Исследовано влияние предварительной обработки вторичного ПЭТФ раствором хелатного комплекса Er на эксплуатационные свойства материала. Представлены результаты исследований структуры и свойств композиционных материалов, полученных на основе вторичного полиэтилентерефталата и хелатных комплексов Er. Установлено, что предварительная обработка флексов вторичного ПЭТФ раствором хелатного комплекса Er не только улучшает физико-механические свойства, но и позволяет получать образцы, отличающиеся высокой плас...
низкой плотности, поливинилхлорид, полипропилен, полистирол, сополимеры олефинов, полиметилметакрилат, полиэтилентерефталат
При использовании усовершенствованного многостадийного метода высокотемпературной твердофазной дополиконденсации получены пленочные образцы ПЭТФ с молекулярной массой Mw до 3.6 х 10s. Для образцов с разной ММ методом ДСК при широком варьировании скоростей нагревания v и экстраполяции данных к v = 0, определены истинные температура плавления, ширина интервала плавления, энтальпия плавления, степень кристалличности и значения параметра внутрицепной кооперативности процесса плавления. Полученные данные позволяют предполагать, что в образцах со сверхвысокой ММ образуются кристаллы из почти полностью распрямленных цепей.
внесистемная единица длины, равная 10⁻¹⁰ м.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
Наведи камеру телефона на QR-код — бот Автор24 откроется на вашем телефоне