Глубина обратной связи
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал, управляемый электрическим полем.
степень относительных изменений параметров усилительного тракта, вызываемых введением в него обратной связи.
емкость между основными выводами при заданном напряжении в закрытом состоянии тиристора.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.