Зона проводимости полупроводника
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
суммарное локальное электрическое поле, действующее на частицу в диэлектрике и обусловленное внешним полем и полем поляризованного диэлектрика.
В работе предлагаются способы измерения намагниченности и константы эффективного поля магнитной суспензии по различию частот ЯМР протонов при разных ориентациях образца в виде диска и при заполнении суспензией и чистым растворителем образца в виде шара. Показано, что для нахождения напряженности поля в магнитной суспензии справедлива формула Лорентца - Диккинсона, предложенная для растворов парамагнитных ионов.
Проведен последовательный учет влияния анизотропии внутреннего поля в соотношениях Лорентц — Лоренца и в соотношениях, связывающих ДЛП жидкостей или растворов полимеров с оптической анизотропией составляющих их молекул или статистических сегментов макромолекул. В отличие от применявшихся ранее подходов использовано предположение об эллипсоидальной форме полости при вычислении внутреннего поля в анизотропной среде. Абсолютная величина оптической анизотропии в 1,3-1,8 раза превосходит значения, принятые в литературе.
свободная зона полупроводника, на уровнях которой при возбуждении могут находиться электроны проводимости.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
квазичастица, представляющая собой состояние поляризации окружающего вещества, вызванное электроном проводимости, движение которого сопровождается перемещением созданной им области поляризации.