Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
тонкий слой, полученный из стеклянных элементарных волокон (непрерывных или рубленных), связанных с помощью связующего средства; этот покров обычно более плотный и часто имеет большую массу на единицу площади, чем облицовочный мат.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
скорость увеличения линейного размера кристалла.
прибор для проведения Оже-спектроскопии.