Зона равноосных кристаллов
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
суммарная длина дислокаций в единице объёма кристалла.
дисперсионное упрочнение; напряжения трения решетки; упрочнение, которое обусловлено сопротивлением скользящей дислокации...
раствора растворенными в нем примесями и легирующими элементами; Д - упрочнение сопротивлением скользящей дислокации...
Пластическая деформация сопровождается образованием новых дислокаций....
студенческих работ
где: а - коэффициент, который зависит от характера распределения и взаимодействия дислокаций...
; р - плотность; G - модуль сдвига матрицы; b - модуль Брюггерса.
Разработана компьютерная программа для расчета плотности дислокаций на основе апробированных методик рентгеноструктурного анализа.
Каждый 1 % добавленного к алюминию лития уменьшает плотность нового сплава на 3 %, а жесткость при этом...
Введение атомов другого типа в кристалл способствует блокировке дислокации....
Данные осадки способствуют укреплению металла, что препятствует перемещению дислокации во время деформации...
Определение 2
Дислокация – это кристаллографический линейный дефект; нарушение кристаллической решетки...
Он снижает плотность сплава, но этом увеличиваются модуль упругости и прочность.
Использование многослойного буферного слоя, включающего слой AlN, выращенный при температуре более 1100° С, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1,5–2 порядка до значений (9–10)·10{8} см{–2} по сравнению с аналогичным слоем GaN, выращенным на тонком низкотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к увеличению подвижности электронов в слоях GaN до 600–650 см{2}/(В·с), что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.
расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).
микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.
диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве