Справочник от Автор24
Найди эксперта для помощи в учебе
Найти эксперта
+2

Плотность дислокаций

Предмет Материаловедение
👍 Проверено Автор24

суммарная длина дислокаций в единице объёма кристалла.

Научные статьи на тему «Плотность дислокаций»

Расчет конструктивной прочности стали по параметрам структуры

дисперсионное упрочнение; напряжения трения решетки; упрочнение, которое обусловлено сопротивлением скользящей дислокации...
раствора растворенными в нем примесями и легирующими элементами; Д - упрочнение сопротивлением скользящей дислокации...
Пластическая деформация сопровождается образованием новых дислокаций....
студенческих работ где: а - коэффициент, который зависит от характера распределения и взаимодействия дислокаций...
; р - плотность; G - модуль сдвига матрицы; b - модуль Брюггерса.

Статья от экспертов

Разработка автоматизированной программы для расчета плотности дислокаций

Разработана компьютерная программа для расчета плотности дислокаций на основе апробированных методик рентгеноструктурного анализа.

Научный журнал

Алюминиево-литиевые сплавы и повышение летно-технических характеристик самолета

Каждый 1 % добавленного к алюминию лития уменьшает плотность нового сплава на 3 %, а жесткость при этом...
Введение атомов другого типа в кристалл способствует блокировке дислокации....
Данные осадки способствуют укреплению металла, что препятствует перемещению дислокации во время деформации...
Определение 2 Дислокация – это кристаллографический линейный дефект; нарушение кристаллической решетки...
Он снижает плотность сплава, но этом увеличиваются модуль упругости и прочность.

Статья от экспертов

Получение слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций

Использование многослойного буферного слоя, включающего слой AlN, выращенный при температуре более 1100° С, позволило понизить плотность дислокаций в слое GaN на 1,5–2 порядка до значений (9–10)·10{8} см{–2} по сравнению с аналогичным слоем GaN, выращенным на тонком низкотемпературном зародышевом слое AlN. Уменьшение плотности дислокаций привело к увеличению подвижности электронов в слоях GaN до 600–650 см{2}/(В·с), что согласуется с данными расчетов и свидетельствует о высоком кристаллическом совершенстве полученных слоев.

Научный журнал

Еще термины по предмету «Материаловедение»

Зона равноосных кристаллов

расположена в центре слитка, где нет определённой направленности теплоотвода; состоит из крупных равноосных зерён (их размеры примерно одинаковы по всем направлениям).

🌟 Рекомендуем тебе

Оже-микроскоп

микроскоп, в котором изображениe поверхности формируется с помощью Оже-электронов.

🌟 Рекомендуем тебе

Полярный диэлектрик

диэлектрик, содержащий электрические диполи, способные к переориентации во внешнем электрическом поле.

🌟 Рекомендуем тебе
Смотреть больше терминов

Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!

  1. Напиши термин
  2. Выбери определение из предложенных или загрузи свое
  3. Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
Все самое важное и интересное в Telegram

Все сервисы Справочника в твоем телефоне! Просто напиши Боту, что ты ищешь и он быстро найдет нужную статью, лекцию или пособие для тебя!

Перейти в Telegram Bot