Время задержки при включении импульса излучения полупроводникового излучателя
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
зеркальный отражатель, состоящий из нескольких зеркально-отражающих плоских пластин.
интервал времени между 10 % значения импульса тока и 10 % значения импульса силы излучения полупроводникового излучателя, измеренный по фронту импульсов.
лампа, тело накала которой находится в колбе, наполненной смесью инертных газов, галогенов и их соединений.
фазовая синтезированная голограмма с углом «блеска».