Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
отношение изменения поляризованности диэлектрика к вызвавшему это изменение интервалу температуры.
There are results of definition of electrons irradiated TGS crystals pirocoefficient presented in this article. There is presented that pirocoefficient of electrons irradiated TGS crystals decreases with growth of a dose of an irradiation.
The article is devoted to the mathematical simulation of pyrocoefficient distribution throughout the thickness of a ferroelectric crystal The simulation results basing on the experimental data and calculated value of thermalfield are presented The problem is being solved using Tikhonov method of regularization for Fredholm integral equation of the first type.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
коррозионный элемент, имеющий более двух электродов.
материал, изготовленный из металлического порошка или из его смеси с неметаллическим порошком.