Захват носителя заряда полупроводника
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
общее название легированных пермаллоев, содержащих 45÷50% Ni, 25% Со и добавки Сr, Мо; отличаются постоянной магнитной проницаемостью: µ = 400÷500 при напряженности магнитного поля до 100 А/м.
исчезновение электрона проводимости или дырки проводимости в результате перехода на локальный уровень дефекта решетки полупроводника.
магнитный материал с коэрцитивной силой по индукции не более 4 кА/м.
химическоe соединениe элемента с кислородом.