Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
полупроводниковый диод, предназначенный для применения в устройствах управления уровнем сверхвысокочастотной мощности.
Полупроводниковый диод: принцип работы, применение, классификация
Определение 1
Полупроводниковый...
Схема структуры кремниевого полупроводникового диода....
, настроечные, смесительные, переключательные, детекторные....
Исследование полупроводникового диода и его основные параметры
Исследование полупроводникового диода...
Диапазон частот полупроводникового диода.
Описывается переключательный высокоскоростной кремниевый диод на основе p+-n-n+ структуры. Быстродействие диода увеличено за счет уменьшения времени жизни неосновных носителей заряда в базе методом диффузии платины с последующим резким охлаждением. Результатом оценки быстродействия этих диодов является время восстановления обратного сопротивления в симметричном режиме переключения тока с 10мА до -10мА. В результате получены температурные зависимости времени обратного восстановления, времени жизни носителей заряда в базе и токов утечки для полупроводникового диода при различных технологических режимах диффузии платины. При увеличении температуры диффузии платины от 950оС до 1050оС время обратного восстановления исходной структуры диода уменьшено в 10 раз. Времена жизни неосновных носителей заряда в базе диода были сокращены с 610 нс до 4-5 нс.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
мощность, подводимая к излучателю лазера.
изолятор, образующий проход для проводника через неизолированную перегородку.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве