Гибридный кварцевый генератор
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
Р-n переход является переходом между контактами полупроводниками и проводит электрический ток в одно...
обращенный диод, диод Джеумма, фотодиод, полупроводниковый лазер, диод Ганна, солнечный элемент, диод Шоттки
В статье приведены технологические процессы изготовления высоковольтных диодов, варикапов и диодов Шоттки с применением слоев пористого анодного окисла кремния. Показано, что особенности роста анодного окисла кремния при повышенном напряжении параметров и характеристик как приборов с p-n переходами, так и диодов Шоттки.
параметры светодиодов
Определение 1
Светодиод – это полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом...
Ширина n-области (база) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в р-область...
Скорость работы фотодиода определяется скоростью разделения носителей p-n перехода, а также его емкостью...
Фотодиод Шоттки. Структура такого фотодиода - металл-полупроводник....
При образовании структуры некоторая часть электронов переходит из металла в полупроводник р-типа.
Проведены исследования теплоемкости мультиферроиков Bi1-xEuxFeO3 (где х = 0 - 0.40) в области температур 140-800 К. Установлено, что легирование феррита висмута редкоземель-ным элементом европием приводит к увеличению величины теплоемкости в широкой области температур при Т ≥ 140 К и смещению температуры антиферромагнитного перехода. На осно-вании результатов исследования теплоемкости построена фазовая диаграмма ТN - х для систе-мы Bi1-xEuxFeO3. Обнаруженные аномалии на температурных зависимостях теплоемкости для составов с х = 0,1 и 0,15 и их анализ совместно с данными структуры свидетельствуют о том, что они могут быть обусловлены смещением сегнетоэлектрического фазового перехода в об-ласть низких температур. Для количественного анализа температурной зависимости теплоем-кости и разделения фононного и аномального вкладов использована простая модель, описыва-ющая фононную теплоемкость функцией Дебая Cp0 ~ D(ӨD/T). Результаты анализа данных по теплоемкости Bi1-xEuxFeO3 дают для харак...
кварцевый генератор, содержащий дискретные элементы и элементы, выполненные методом планарной технологии.
набор из символов принятого алфавита.
отрицательное анодное напряжение тиристора.
Возможность создать свои термины в разработке
Еще чуть-чуть и ты сможешь писать определения на платформе Автор24. Укажи почту и мы пришлем уведомление с обновлением ☺️
Включи камеру на своем телефоне и наведи на Qr-код.
Кампус Хаб бот откроется на устройстве