Ионный отражатель
электрод электронно-лучевого прибора, служащий для создания потенциального барьера для ионов.
Переход Шоттки
Предмет
Электроника, электротехника, радиотехника
👍 Проверено
Автор24
электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.
Научные статьи на тему «Переход Шоттки»
Диоды, выпрямители, стабилитроны
Р-n переход является переходом между контактами полупроводниками и проводит электрический ток в одно...
обращенный диод, диод Джеумма, фотодиод, полупроводниковый лазер, диод Ганна, солнечный элемент, диод Шоттки
Статья от экспертов
Применение пористого анодного окисла кремния в производстве полупроводниковых приборов
В статье приведены технологические процессы изготовления высоковольтных диодов, варикапов и диодов Шоттки с применением слоев пористого анодного окисла кремния. Показано, что особенности роста анодного окисла кремния при повышенном напряжении параметров и характеристик как приборов с p-n переходами, так и диодов Шоттки.
Creative Commons
Научный журнал
Светодиоды и фотодиоды
параметры светодиодов
Определение 1
Светодиод – это полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом...
Ширина n-области (база) делается такой, чтобы дырки не успевали рекомбинировать до перехода в р-область...
Скорость работы фотодиода определяется скоростью разделения носителей p-n перехода, а также его емкостью...
Фотодиод Шоттки. Структура такого фотодиода - металл-полупроводник....
При образовании структуры некоторая часть электронов переходит из металла в полупроводник р-типа.
Статья от экспертов
ТЕПЛОЕМКОСТЬ МУЛЬТИФЕРРОИКОВ BI1-XEUXFEO3(Х = 0 - 0.40)*
Проведены исследования теплоемкости мультиферроиков Bi1-xEuxFeO3 (где х = 0 - 0.40) в области температур 140-800 К. Установлено, что легирование феррита висмута редкоземель-ным элементом европием приводит к увеличению величины теплоемкости в широкой области температур при Т ≥ 140 К и смещению температуры антиферромагнитного перехода. На осно-вании результатов исследования теплоемкости построена фазовая диаграмма ТN - х для систе-мы Bi1-xEuxFeO3. Обнаруженные аномалии на температурных зависимостях теплоемкости для составов с х = 0,1 и 0,15 и их анализ совместно с данными структуры свидетельствуют о том, что они могут быть обусловлены смещением сегнетоэлектрического фазового перехода в об-ласть низких температур. Для количественного анализа температурной зависимости теплоем-кости и разделения фононного и аномального вкладов использована простая модель, описыва-ющая фононную теплоемкость функцией Дебая Cp0 ~ D(ӨD/T). Результаты анализа данных по теплоемкости Bi1-xEuxFeO3 дают для харак...
Creative Commons
Научный журнал
Еще термины по предмету «Электроника, электротехника, радиотехника»
Крайне высокие частоты
радиочастоты 30-300 ггц.
Энергия излучения импульсной лампы
энергия, переносимая излучением импульсной лампы.
- Вакансия Шоттки
- Дефект Шоттки
- Диод Шоттки
- Фотодиод с барьером Шоттки
- Аллостерический переход
- Демографический переход
- Вязкохрупкий переход
- Переход фазовый
- Область перехода
- Зона перехода
- Обряды перехода
- Безусловный переход
- Фазовые переходы
- Выпрямляющий переход
- Выращенный переход
- Гетерогенный переход
- Гомогенный переход
- Диффузионный переход
- Индуцированный переход
- Квантовый переход
Повышай знания с онлайн-тренажером от Автор24!
- Напиши термин
- Выбери определение из предложенных или загрузи свое
- Тренажер от Автор24 поможет тебе выучить термины с помощью удобных и приятных карточек
