Выходной ток интегральной микросхемы
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
лазерный затвор, действие которого основано на использовании оптических материалов, коэффициент пропускания которых на длине волны лазерного излучения зависит от интенсивности излучения.
Описан метод измерения радиационного времени жизни верхнего лазерного уровня активного элемента в резонаторе твердотельного лазера с диодной накачкой и пассивной модуляцией добротности.
Теоретически исследуются спектрально-энергетические параметры лазерной генерации в кристалле Er:YLF в режиме пассивной модуляции добротности, реализуемой затворами на основе кристаллов Fe:ZnSe.
ток, протекающий в цепи нагрузки интегральной микросхемы в заданном режиме.
электрический ток, значение которого превышает заданное предельное значение.
энергия накачки излучателя лазера за один импульс.